Razlika med hlapnim in nehlapnim spominom

Hlapni vs nehlapni pomnilnik

Hlapne in nehlapne so klasifikacije v računalniškem pomnilniku. Hlapni pomnilnik je vrsta računalniškega pomnilnika, ki potrebuje energijo za ohranjanje shranjenih informacij, medtem ko za nehlapljiv pomnilnik ni treba osvežiti, da bi ohranili vrednosti pomnilnika.

Kaj je hlapni spomin?

Hlapni pomnilnik je vrsta pomnilnika pri računanju, ki potrebuje energijo za ohranjanje shranjenih informacij. Vsebino pomnilniške naprave je treba redno osveževati, da se prepreči izguba podatkov. Moduli RAM (Random Access Memory) v računalnikih in pomnilnik Cache v procesorjih so primeri hlapnih komponent pomnilnika. (Preberite razliko med RAM-om in pomnilnikom predpomnilnika)

Naprave RAM so vgrajene z uporabo velikega sklopa kondenzatorjev, ki se uporabljajo za začasno shranjevanje bremen. Vsak kondenzator predstavlja en pomnilniški bit. Ko je kondenzator napolnjen, je logično stanje 1 (Visoko), pri praznjenju pa je logično stanje 0 (Nizko). In vsak kondenzator je potreben za polnjenje v rednih intervalih za stalno hranjenje podatkov, to večkratno polnjenje je znano kot osvežujoč cikel.

Obstajajo trije glavni razredi RAM-a, in sicer so statični RAM (SRAM), dinamični RAM (DRAM) in fazna sprememba RAM-a (PRAM). V SRAM-u se podatki shranijo s stanjem posameznega flip-flopa za vsak bit, v DRAM-u pa se za vsak bit uporablja en kondenzator. (Preberite več o razliki med SRAM in DRAM)

Kaj je nehlapen spomin?

Nehlapen pomnilnik je vrsta računalniškega pomnilnika, ki ne potrebuje osvežitve, da bi ohranila vrednosti pomnilnika. Vse vrste ROM, bliskovnega pomnilnika, optičnih in magnetnih naprav za shranjevanje so nehlapne pomnilniške naprave.

Naprave z najzgodnejšimi ROM (samo za branje) so imele možnost samo branja vsebine, ne pa pisanja ali urejanja. V nekaterih primerih se podatki lahko spremenijo, vendar s težavo. Najstarejši trdi disk ROM je Mask ROM, kjer vsebino pomnilnika programira sam proizvajalec in ga ni mogoče spreminjati.

PROM ali programirljivi ROM je bil razvit na osnovi maske ROM, kjer lahko uporabnik pomnilnik programira pomnilnik, vendar le enkrat. EPROM (Erasable Programmable ROM) je izbrisna pomnilniška naprava, ki jo je mogoče izbrisati z uporabo izpostavljenosti UV svetlobi in programirati z višjimi napetostmi. Ponavljajoča se izpostavljenost UV svetlobi sčasoma poslabša zmogljivost shranjevanja IC-ja.

EEPROM ali elektronsko izbrisljiv programirljivi ROM je podaljšek od EPROM-a, kjer lahko uporabnik pomnilnik večkrat programira. Vsebino pomnilniške komponente je mogoče brati, zapisati in spremeniti s pomočjo posebej zasnovanega vmesnika. Enote mikrokontrolerjev so primeri naprav EEPROM. Flash pomnilnik je razvit na osnovi arhitekture EEPROM.

Pogoni trdega diska (HDD) so tudi nehlapne sekundarne naprave za shranjevanje podatkov, ki se uporabljajo za shranjevanje in pridobivanje digitalnih informacij v računalnikih. Trdi diski so izstopajoči zaradi svoje zmogljivosti in zmogljivosti. Zmogljivosti trdega diska se razlikujejo od pogona do pogona, vendar se sčasoma nenehno povečuje.

Optične pomnilniške naprave, kot so CD-ji DVD in diski BluRay, so tudi nehlapne pomnilniške naprave. V to kategorijo lahko spadajo tudi kartice za prebijanje in magnetni trakovi, ki se uporabljajo v zgodnjih računalnikih.

Kakšna je razlika med hlapnim in nehlapnim pomnilnikom?

• Hlapni pomnilnik zahteva osvežitev, da shrani shranjeno vsebino, medtem ko nehlapni pomnilnik ne.

• Hlapni pomnilnik potrebuje energijo, da ohrani pomnilnik, medtem ko nehlapni pomnilnik ne potrebuje energije. Če izgubite moč hlapnega pomnilnika, se vsebina samodejno izbriše.

• RAM je glavna vrsta hlapnega pomnilnika in se uporablja kot začasno shranjevanje informacij pred in po obdelavi. Naprave ROM se uporabljajo za shranjevanje podatkov ali informacij za daljši čas. (Preberite več o razliki med ROM-om in RAM-om)

• Sekundarne pomnilniške naprave, ki se uporabljajo v računalnikih, so nehlapne pomnilniške naprave.

• Hlapne pomnilniške naprave so večinoma trdne naprave, nehlapni pomnilnik pa je lahko polprevodniški, magnetni ali optični.