Razlika med IGBT in tiristorjem

IGBT proti Tiristorju

Tiristor in IGBT (izolirani prehodni bipolarni tranzistor) sta dve vrsti polprevodniških naprav s tremi sponkami in oba se uporabljata za krmiljenje tokov. Obe napravi imata krmilni terminal imenovan „vrata“, vendar imata različna načela delovanja.

Tiristor

Tiristor je izdelan iz štirih izmenično polprevodniških plasti (v obliki P-N-P-N), zato je sestavljen iz treh PN stičišč. V analizi to velja za tesno povezan par tranzistorjev (en PNP in drugi v konfiguraciji NPN). Najbolj zunanji polprevodniški sloji tipa P in N se imenujejo anoda oziroma katoda. Elektroda, povezana s polprevodniško plastjo tipa P, je znana kot "vrata".

V delovanju tiristor deluje dirigirajoče, ko je impulz postavljen na vrata. Ima tri načine delovanja, imenovane "način blokiranja povratne poti", "način blokiranja naprej" in "način vodenja naprej". Ko se zapor sproži s impulzom, se tiristor preklopi v način "vodenja naprej" in nadaljuje, dokler prednji tok ne postane manjši od praga "zadrževalnega toka".

Tiristorji so napajalne naprave in se večinoma uporabljajo v aplikacijah, kjer so vključeni visoki tokovi in ​​napetosti. Najbolj uporabljena tiristorska aplikacija je krmiljenje izmeničnih tokov.

Izolirani prehodni bipolarni tranzistor (IGBT)

IGBT je polprevodniška naprava s tremi sponkami, znanimi kot 'Emiter', 'Collector' in 'Gate'. Gre za vrsto tranzistorja, ki lahko prenese večjo moč in ima večjo hitrost preklopa, zaradi česar je visoko učinkovit. IGBT je bil na trg predstavljen v osemdesetih letih prejšnjega stoletja.

IGBT ima kombinirane lastnosti MOSFET in bipolarnega spojnega tranzistorja (BJT). Poganja se kot MOSFET in ima trenutne napetostne značilnosti kot BJT. Zato ima prednosti tako visoke zmogljivosti vodenja toka kot enostavnosti upravljanja. IGBT moduli (sestavljeni iz več naprav) upravljajo z kilovati moči.